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1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4

关键词： IGBT模块,开关芯片,热界面材料

时间：2023-10-12 15:05:53

“PrimePACK™ 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP™ IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料。

”

PrimePACK™ 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP™ IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料。

特征描述

提高工作结温 T_{vj op}
高直流电压稳定性
高短路能力，自限制短路电流
低开关损耗
无与伦比的鲁棒性
V_CEsat 带正温度系数
4 kV 交流 1 分钟绝缘
封装的 CTI > 400
高爬电距离和电气间隙
高功率循环和温度循环能力
低热阻衬底
UL 认证

优势

高功率密度
标准封装

应用领域

不间断电源（UPS）
电机控制和驱动
风能系统
牵引

在线座谈

主题：瑞萨电子新一代工业级电源功率器件（SiC, IGBT, GaN, Mosfet）
时间：2024年9月19日
公司：瑞萨电子&新晔电子

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